Vanguard、TSMCのGaN技術をライセンス導入しパワー半導体ポートフォリオを拡充

変更内容VanguardがTSMCのGaN技術をライセンス導入し、シリコンおよびQST基板上でのGaN提供を開始、2028年上半期から高電圧パワー半導体市場への参入を加速。

Vanguard International Semiconductor·Space, Defense & Strategic Deep Tech·台湾AI・テクノロジープレミアム
公式ソース原文vis.com.tw·
収録 Mar 20, 2026
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Source Context

Vanguard(VIS)は、TSMCのGaN(窒化ガリウム)技術のライセンスを導入し、パワー半導体ポートフォリオを拡充する。これにより、シリコンおよびQST基板の両方でGaNを提供する唯一のファウンドリとなる。この戦略的提携は、電気自動車(EV)やデータインフラなどの分野で高まる需要に対応するため、VISの高電圧パワー半導体市場への参入を加速させるものだ。

原文を読むvis.com.tw
重要性の分析

このライセンス契約により、VanguardはTSMCの実績ある技術を活用して高電圧GaN市場に迅速に参入できる。開発リスクと市場投入までの時間を短縮し、EVやデータインフラ向けの高効率パワー半導体に対する需要増に対応することで、他のファウンドリに対する競争優位性を強化する。ユニークなGaNポートフォリオを提供することが可能となる。

重要ポイント
1

VISがTSMCの650Vおよび80V GaN技術のライセンスを導入

2

VISの高電圧パワー半導体市場への参入を加速

3

VISがシリコンおよびQST基板の両方でGaNを提供する唯一のファウンドリとなる

What to Watch
1

VISがシリコンおよびQST基板の両方でGaNを提供する唯一のファウンドリとなる

2

2028年上半期にVISの8インチラインで量産開始予定

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